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STW48NM60N|STMicroelectronics
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制造商型号: STW48NM60N
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET N-CH 600V 39A TO-247
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产品信息
数据列表 STW48NM60N
产品相片 TO-247-3
其它有关文件 STW48NM60N View All Specifications
标准包装  30
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列MDmesh™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)44A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)70 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)124nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)4285pF @ 50V
功率 - 最大值255W
安装类型通孔
封装/外壳TO-247-3
供应商器件封装TO-247
工具箱
497-8013-KIT-ND - KIT HIGH POWER MOSFET 12VALUES
其它名称497-11367-5
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