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STV250N55F3|STMicroelectronics
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制造商型号: STV250N55F3
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET N-CH 55V 250A POWERSO-10
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产品信息
数据列表 STV250N55F3
产品相片 PowerSO-10
其它有关文件 STV250N55F3 View All Specifications
特色产品 Mosfets in PowerSO-10 Package
标准包装  600
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列STripFET™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)200A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)2.2 毫欧 @ 75A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)100nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)6800pF @ 25V
功率 - 最大值300W
安装类型表面贴装
封装/外壳PowerSO-10 裸露底部焊盘
供应商器件封装PowerSO-10
产品目录页面1543 (CN2011-ZH PDF)
其它名称497-7030-2
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