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STU2NK100Z|STMicroelectronics
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制造商型号: STU2NK100Z
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET N-CH 1000V 1.85A IPAK
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产品信息
数据列表 STx2NK100Z
产品相片 DPAK_369D?01
其它有关文件 STU2NK100Z View All Specifications
标准包装  75
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列SuperMESH™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)1000V(1kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)1.85A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)8.5 欧姆 @ 900mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)16nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)499pF @ 25V
功率 - 最大值70W
安装类型通孔
封装/外壳TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
供应商器件封装I-Pak
其它名称497-12694-5
STU2NK100Z-ND
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