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STT6N3LLH6|STMicroelectronics
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制造商型号: STT6N3LLH6
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSF N CH 30V 6A SOT23-6
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产品信息
数据列表 STT6N3LLH6
其它有关文件 STT6N3LLH6 View All Specifications
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列STripFET™ VI, DeepGATE™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)6A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)25 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)3.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)283pF @ 24V
功率 - 最大值1.6W
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-23-6
供应商器件封装SOT-23-6
其它名称497-13591-2
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