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STS8C5H30L|STMicroelectronics
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制造商型号: STS8C5H30L
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC
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产品信息
数据列表 STS8C5H30L
产品相片 8-SOIC
其它有关文件 STS8C5H30L View All Specifications
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型N 和 P 沟道
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)8A,5.4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)22 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)10nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)857pF @ 25V
功率 - 最大值2W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SO
其它名称497-4398-2
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