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STS1NK60Z|STMicroelectronics
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制造商型号: STS1NK60Z
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET N-CH 600V 250MA 8-SOIC
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产品信息
数据列表 STS1NK60Z
产品相片 8-SOIC
其它有关文件 STS1NK60Z View All Specifications
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列SuperMESH™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)250mA (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)15 欧姆 @ 400mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)6.9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)94pF @ 25V
功率 - 最大值2W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SO
其它名称497-12798-2
STS1NK60Z-ND
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