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STS10DN3LH5|STMicroelectronics
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制造商型号: STS10DN3LH5
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
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产品信息
数据列表 STS10DN3LH5
产品相片 8-SOIC
其它有关文件 STS10DN3LH5 View All Specifications
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列STripFET™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型2 个 N 沟道(双)
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)10A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)21 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)4.6nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)475pF @ 25V
功率 - 最大值2.5W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SO
产品目录页面1543 (CN2011-ZH PDF)
其它名称497-10011-2
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