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STP6N120K3|STMicroelectronics
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制造商型号: STP6N120K3
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET N-CH 1200V 6A TO-220
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产品信息
数据列表 ST(FW,P,W)6N120K3
产品相片 TO-220FP
其它有关文件 STP6N120K3 View All Specifications
标准包装  50
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列SuperMESH3™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)6A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)2.4 欧姆 @ 2.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)34nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1050pF @ 100V
功率 - 最大值150W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3 整包
供应商器件封装TO-220
工具箱
497-8014-KIT-ND - KIT WIDE INPUT MOSFET 12VALUES
其它名称497-12123
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