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制造商型号: STP30NM30
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET,N沟道,300V,30A,TO220
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
典型关断延迟时间65 ns
典型接通延迟时间25 ns
典型栅极电荷@Vgs75 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds2500 pF V @ 50
安装类型通孔
宽度4.6mm
封装类型TO-220
尺寸10.4 x 4.6 x 15.75mm
引脚数目3
最低工作温度-65 °C
最大功率耗散160 W
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压300 V
最大漏源电阻值0.09 Ω
最大连续漏极电流30 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
长度10.4mm
高度15.75mm
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