![STP16NF06L|STMICROELECTRONICS](//upload.szcwdz.com/kucunpic/20/208196.jpg)
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产品信息
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场效应管 MOSFET N TO-220
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晶体管极性:
N沟道
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电流, Id 连续:
16A
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漏源电压, Vds:
60V
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在电阻RDS(上):
100mohm
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电压 @ Rds测量:
10V
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阈值电压, Vgs th 典型值:
1V
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功耗, Pd:
45W
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封装类型:
TO-220
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针脚数:
3
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MSL:
(不适用)
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SVHC(高度关注物质):
No SVHC (19-Dec-2012)
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功耗, Pd:
45W
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功耗, Pd:
45W
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封装/箱盒:
TO-220
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封装类型, 其它:
SOT-78B
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漏极电流, Id 最大值:
16A
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电压 Vgs @ Rds on 测量:
10V
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电压, Vds:
60V
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电压, Vds 典型值:
60V
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电压, Vgs 最高:
16V
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电流, Idm 脉冲:
64A
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通态电阻 @ Vgs = 10V:
100mohm
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通态电阻 @ Vgs = 4.5V:
120mohm
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阈值电压, Vgs th 最低:
1V
产地:
SG
Singapore
询价