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STP12NK80Z|STMicroelectronics
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制造商型号: STP12NK80Z
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET N-CH 800V 10.5A TO-220
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产品信息
数据列表 STx12NK80Z
产品相片 TO-220AB
其它有关文件 STP12NK80Z View All Specifications
标准包装  50
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列SuperMESH™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)800V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)10.5A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)750 毫欧 @ 5.25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)87nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2620pF @ 25V
功率 - 最大值190W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商器件封装TO-220AB
产品目录页面1541 (CN2011-ZH PDF)
配用
497-8226-ND - BOARD EVAL L5991/STP12NK80Z
其它名称497-6737-5
STP12NK80Z-ND
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