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STN1HNK60|STMicroelectronics
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制造商型号: STN1HNK60
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
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产品信息
数据列表 STx1(H)NK60(-1,R)
产品相片 SOT223-3L
其它有关文件 STN1HNK60 View All Specifications
标准包装  4,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列SuperMESH™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)400mA (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)8.5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3.7V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)156pF @ 25V
功率 - 最大值3.3W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装SOT-223
产品目录页面1543 (CN2011-ZH PDF)
其它名称497-4668-2
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