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STL8DN6LF3 STMicroelectronics ![]() ![]() 购买 | 1882 1起订 6-10天 | 1+ 10+ 100+ 500+ 1000+ 3000+ | ¥25.53 ¥17.38 ¥12.65 ¥10.35 ¥9.66 ¥9.52 |
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STL8DN6LF3 STMicroelectronics ![]() ![]() 询价 | 0 1起订 1-3周 | 1+ 10+ 100+ 500+ 1000+ 3000+ 6000+ | ¥23.45 ¥21.16 ¥18.59 ¥16.73 ¥15.16 ¥13.87 ¥13.16 |
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STL8DN6LF3 STMicroelectronics MOSFET Dual N-Ch 60V 7.8A 22.5mOhm STripFETIII RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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![]() | STMicroelectronics MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6 详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 65W Surface Mount PowerFlat? (5x6) 型号:STL8DN6LF3 仓库库存编号:497-13169-1-ND 别名:497-13169-1 <br> | 无铅 |
数据列表 | STL8DN6LF3 |
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其它有关文件 | STL8DN6LF3 View All Specifications |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | STripFET™ III |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 20A |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 30 毫欧 @ 4A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 13nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 668pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 65W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
供应商器件封装 | PowerFlat?(5x6) |
其它名称 | 497-13169-2 |