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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： STL21N65M5
制造商： STMicroelectronics
描述： MOSFET N-CH 650V 17A POWERFLAT88
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： STMicroelectronics
描述： MOSFET N-CH 650V 17A POWERFLAT88
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 数据列表 | STL21N65M5 |
|---|---|
| 产品相片 | PowerFlat 8X8 |
| 其它有关文件 | STL21N65M5 View All Specifications |
| 产品培训模块 | 5th Generation High Voltage Mosfet Technology |
| 特色产品 | ST - PowerFLAT? 8x8 HV |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | MDmesh™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 650V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 17A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 179 毫欧 @ 8.5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 50nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1950pF @ 100V |
| 功率 - 最大值 | 3W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 5-PowerFlat? HV |
| 供应商器件封装 | 5-PowerFlat? HV（8x8） |
| 其它名称 | 497-10961-2 |
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