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制造商型号: STL120N2VH
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET,N沟道,20V,120A,PowerFLAT8
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
典型关断延迟时间76 ns
典型接通延迟时间21 ns
典型栅极电荷@Vgs29 nC V @ 2.5
典型输入电容值@Vds4660 pF V @ 15
安装类型表面贴装
宽度5.75mm
封装类型PowerFLAT
尺寸4.75 x 5.75 x 0.88mm
引脚数目8
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散80 W
最大栅源电压±8 V
最大漏源电压20 V
最大漏源电阻值0.004 Ω
最大连续漏极电流120 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置四漏极、三源
长度4.75mm
高度0.88mm
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