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STI42N65M5|STMicroelectronics
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制造商型号: STI42N65M5
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET N-CH 650V 33A I2PAK
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产品信息
数据列表 STx42N65M5
产品相片 TO-262-3
其它有关文件 STI42N65M5 View All Specifications
产品培训模块 5th Generation High Voltage Mosfet Technology
标准包装  50
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列MDmesh™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)650V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)33A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)79 毫欧 @ 16.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)100nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)4650pF @ 100V
功率 - 最大值190W
安装类型通孔
封装/外壳TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商器件封装I2PAK
产品目录页面1543 (CN2011-ZH PDF)
其它名称497-8899-5
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