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制造商型号: STI30N65M
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET,N沟道,650V,22A,I2PAK
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
典型关断延迟时间50 ns
典型栅极电荷@Vgs64 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds2880 pF @ 100 V
安装类型通孔
宽度4.6mm
封装类型I2PAK
尺寸10.4 x 4.6 x 10.75mm
引脚数目3
最大功率耗散140 W
最大栅源电压±25 V
最大漏源电压650 V
最大漏源电阻值0.139 Ω
最大连续漏极电流13 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
长度10.4mm
高度10.75mm
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