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STI24NM65
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商型号:
STI24NM65
制造商:
STMicroelectronics
描述:
MOSFET,N沟道,650V,19A,I2PAK
订购热线:
400-900-3095
, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
产品信息
典型关断延迟时间
80 ns
典型接通延迟时间
25 ns
典型栅极电荷@Vgs
70 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds
2500 pF V @ 50
安装类型
通孔
封装类型
I2PAK
引脚数目
3
最大功率耗散
160 W
最大栅源电压
±25 V
最大漏源电压
710 V
最大漏源电阻值
0.19 Ω
最大连续漏极电流
19 A
每片芯片元件数目
1
类别
功率 MOSFET
通道模式
增强
通道类型
N
询价
*所需产品:
型号: STI24NM65 品牌: STMicroelectronics 备注: MOSFET,N沟道,650V,19A,I2PAK
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