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| 型号/制造商 |
| STGB14NC60KDT4 STMicroelectronics IGBT Transistors PowerMESH" IGBT RoHS: Compliant 搜索 |
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| 型号/制造商 |
| STGB14NC60KDT4 STMicroelectronics Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R RoHS: Compliant 搜索 |
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 | STMicroelectronics IGBT 600V 25A 80W D2PAK 详细描述：IGBT 600V 25A 80W Surface Mount D2PAK 型号：STGB14NC60KDT4 仓库库存编号：497-5109-1-ND 别名：497-5109-1 <br> |  |
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制造商型号： STGB14NC60KDT4
制造商： STMicroelectronics
描述： IGBT N-CH 600V 25A D2PAK
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： STMicroelectronics
描述： IGBT N-CH 600V 25A D2PAK
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产品信息
| 数据列表 | STGx14NC60KD |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 其它有关文件 | STGB14NC60KD View All Specifications |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | IGBT - 单路 |
| 系列 | PowerMESH™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| IGBT 类型 | - |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 600V |
| 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 2.5V @ 15V，7A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 25A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 50A |
| 功率 - 最大值 | 80W |
| Switching Energy | 237µJ |
| 输入类型 | 标准 |
| Gate Charge | 34.4nC |
| Td (on/off) A 25°C | 22.5ns/116ns |
| Test Condition | 390V, 7A, 10 欧姆,15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 37ns |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 产品目录页面 | 1544 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | 497-5109-2 |
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