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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： STE53NC50
制造商： STMICROELECTRONICS
描述： 场效应管 MOSFET N SOT-227B
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： STMICROELECTRONICS
描述： 场效应管 MOSFET N SOT-227B
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET N SOT-227B
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id 连续: 53A
- 漏源电压, Vds: 500V
- 在电阻RDS（上）: 80mohm
- 电压 @ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值: 3V
- 功耗, Pd: 460W
- 封装类型: ISOTOP
- 针脚数: 4
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 功耗, Pd: 460W
- 功耗, Pd: 460W
- 外宽: 25.4mm
- 外部深度: 38mm
- 外部长度/高度: 12.2mm
- 安装孔中心距: 31.6mm
- 封装/箱盒: ISOTOP
- 晶体管数: 1
- 温度 @ 电流测量: 25°C
- 满功率温度: 25°C
- 漏极电流, Id 最大值: 54A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
- 电压, Vds 典型值: 500V
- 电压, Vgs 最高: 3V
- 电流, Idm 脉冲: 212A
- 结温, Tj 最大值: 150°C
- 通态电阻 @ Vgs = 10V: 80mohm
- 阈值电压, Vgs th 最高: 4V
- 隔离电压: 2.5kV
询价