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制造商型号: STD5N2
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET,N沟道,200V,5A,DPAK
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产品信息
典型接通延迟时间18 ns
典型栅极电荷@Vgs19 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds350 pF V @ 25
安装类型表面贴装
宽度6.2mm
封装类型DPAK
尺寸6.6 x 6.2 x 2.4mm
引脚数目3
最低工作温度-65 °C
最大功率耗散45 W
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压200 V
最大漏源电阻值0.8 Ω
最大连续漏极电流5 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置
长度6.6mm
高度2.4mm
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