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制造商型号: STD4NK80ZT
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET,N沟道,800V,3A,SuperMESH,DPAK
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
典型关断延迟时间35 ns
典型接通延迟时间13 ns
典型栅极电荷@Vgs22.5 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds575 pF V @ 25
安装类型表面贴装
宽度6.2mm
封装类型DPAK
尺寸6.6 x 6.2 x 2.4mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散80000 mW
最大栅源电压±30 V
最大漏源电压800 V
最大漏源电阻值3.5 Ω
最大连续漏极电流3 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置
长度6.6mm
高度2.4mm
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