您现在的位置:首页 > STD3NM60T
无图
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商型号: STD3NM60T
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET,N沟道,600V,3A,MDMESH,DPAK
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
典型接通延迟时间9 ns
典型栅极电荷@Vgs10 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds324 pF V @ 25
安装类型表面贴装
宽度6.2mm
封装类型DPAK
尺寸6.6 x 6.2 x 2.4mm
引脚数目3
最低工作温度-65 °C
最大功率耗散42000 mW
最大栅源电压±30 V
最大漏源电压600 V
最大漏源电阻值1.5 Ω
最大连续漏极电流3 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置
长度6.6mm
高度2.4mm
询价
  • *所需产品:
  • *联系人:
  • *联系电话:
  • *电子邮箱:
  • 备注内容:
  
电脑版
Copyright(C) m.szcwdz.com 创唯电子 版权所有
QQ:800152669  电话:400-900-3095