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STD3NK100Z|STMicroelectronics
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制造商型号: STD3NK100Z
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK
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产品信息
数据列表 STx3NK100Z
产品相片 TO-263
其它有关文件 STD3NK100Z View All Specifications
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列SuperMESH™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)1000V(1kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)2.5A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)6 欧姆 @ 1.25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)18nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)601pF @ 25V
功率 - 最大值90W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装D-Pak
产品目录页面1542 (CN2011-ZH PDF)
其它名称497-7967-2
STD3NK100Z-ND
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