数据列表 | STx1(H)NK60(-1,R)
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产品相片 | TO-263
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其它有关文件 | STD1NK60 View All Specifications
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Reference Design Library | STEVAL-ISB001V1: 1 Cell Charger using Discretes
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标准包装 | 2,500 |
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类别 | 分立半导体产品 |
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家庭 | FET - 单 |
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系列 | SuperMESH™ |
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包装 | 带卷 (TR) |
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FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
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FET 功能 | 逻辑电平门 |
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漏源极电压 (Vdss) | 600V |
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电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 1A (Tc) |
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不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 8.5 欧姆 @ 500mA,10V |
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3.7V @ 250µA |
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不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 10nC @ 10V |
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不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 156pF @ 25V |
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功率 - 最大值 | 30W |
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安装类型 | 表面贴装 |
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封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
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供应商器件封装 | D-Pak |
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产品目录页面 | 1542 (CN2011-ZH PDF)
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其它名称 | 497-2483-2
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