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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： STD12NF06L
制造商： STMICROELECTRONICS
描述： 场效应管 MOSFET N 逻辑电平 D-PAK
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： STMICROELECTRONICS
描述： 场效应管 MOSFET N 逻辑电平 D-PAK
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET N 逻辑电平 D-PAK
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id 连续: 12A
- 漏源电压, Vds: 60V
- 在电阻RDS（上）: 80mohm
- 电压 @ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值: 2V
- 功耗, Pd: 30W
- 工作温度最小值: -55°C
- 工作温???最高值: 175°C
- 封装类型: TO-252
- 针脚数: 3
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- SMD标号: STD12NF06L
- 功耗, Pd: 30W
- 功耗, Pd: 30W
- 封装/箱盒: DPAK
- 封装类型, 其它: D-PAK
- 工作温度范围: -55°C 至 +175°C
- 漏极电流, Id 最大值: 12A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
- 电压, Vds 典型值: 60V
- 电压, Vgs 最高: 16V
- 电流, Idm 脉冲: 48A
- 阈值电压, Vgs th 最高: 2V
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