声明:图片仅供参考,请以实物为准!
产品信息
-
场效应管 MOSFET P SMD D-PAK
-
晶体管极性:
P沟道
-
电流, Id 连续:
-10A
-
漏源电压, Vds:
60V
-
在电阻RDS(??):
180mohm
-
电压 @ Rds测量:
-10V
-
阈值电压, Vgs th 典型值:
-4V
-
功耗, Pd:
40W
-
封装类型:
TO-252
-
针脚数:
3
-
SVHC(高度关注物质):
No SVHC (19-Dec-2012)
-
封装/箱盒:
DPAK
-
漏极电流, Id 最大值:
10A
-
电压 Vgs @ Rds on 测量:
-10V
-
电压, Vds 典型值:
-60V
-
电压, Vgs 最高:
4V
-
表面安装器件:
SMD
产地:
MA
Morocco
询价