数据列表 | ST(D,F,P)100N10F7 |
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其它有关文件 | STD100N10F7 View All Specifications |
标准包装 | 1 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | StripFET™ VII, DeepGATE™ |
包装 | 剪切带 (CT) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 100V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 80A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 8 毫欧 @ 19A, 10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 56nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 4390pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 120W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商器件封装 | DPAK |
其它名称 | 497-13548-1 497-13548-1-ND 497-13548-5 |