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STB80NF55-06T4|STMicroelectronics
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制造商型号: STB80NF55-06T4
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
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产品信息
数据列表 ST(B,P)80NF55-06(-1,FP)
产品相片 TO-263
标准包装  1,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列STripFET™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)80A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)6.5 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)189nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)4400pF @ 25V
功率 - 最大值300W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装D2PAK
产品目录页面1541 (CN2011-ZH PDF)
其它名称497-6558-2
STB80NF55-06T4-ND
STB80NF5506T4
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