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STB30NM50N STMicroelectronics MOSFET N-ch 500 Volt 27Amp Power MDmesh RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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STB30NM50N STMicroelectronics Trans MOSFET N-CH 500V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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![]() | STMicroelectronics MOSFET N-CH 500V 27A D2PAK 详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 27A(Tc) 190W(Tc) D2PAK 型号:STB30NM50N 仓库库存编号:497-8768-1-ND 别名:497-8768-1 <br> | 无铅 |
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数据列表 | STx30NM50N |
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产品相片 | TO-263 |
标准包装 | 1,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | MDmesh™ |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 500V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 27A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 115 毫欧 @ 13.5A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 94nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2740pF @ 50V |
功率 - 最大值 | 190W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | 497-8768-2 |