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制造商型号: STB200NF04T
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET,N沟道,40V,120A,D2PAK
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
典型关断延迟时间140 ns
典型接通延迟时间30 ns
典型栅极电荷@Vgs170 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds5100 pF V @ 25
安装类型表面贴装
宽度9.35mm
封装类型D2PAK
尺寸10.4 x 9.35 x 4.6mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散310000 mW
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压40 V
最大漏源电阻值0.004 Ω
最大连续漏极电流120 A
最高工作温度+175 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置
长度10.4mm
高度4.6mm
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