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| 型号/制造商 |
| STB18NM80 STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V MDMesh RoHS: Compliant 搜索 |
| 型号/制造商 |
| STB18NM80 STMicroelectronics Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: STB18NM80) RoHS: Compliant 搜索 |
| STB18NM80 STMicroelectronics Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: STB18NM80) RoHS: Compliant 搜索 |
| STB18NM80-BLK STMicroelectronics Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin D2PAK Bulk - Bulk (Alt: STB18NM80-BLK) RoHS: Compliant 搜索 |
| 型号/制造商 |
| STB18NM80 STMicroelectronics MOSFET, N CH, 800V, 17A, D2PAK
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| 型号/制造商 |
| STB18NM80 STMicroelectronics N-Channel 80 V 0.295 Ohm Surface Mount MDMesh Power MosFet - D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes 搜索 |
| 型号/制造商 | 库存/货期(工作日) | 起订量 | 单价 (含税) | ||
| STB18NM8 STMicroelectronics | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | |
 | STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 190W（Tc） D2PAK 型号：STB18NM80 仓库库存编号：497-10117-1-ND 别名：497-10117-1 <br> |  |
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 |
STB18NM80 | 2098126 | STMICROELECTRONICS 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 0.25 ohm, 10 V, 4 V (EN) |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | ||
| 制造商零件编号： STB18NM80 品牌： STMicroelectronics 库存编号： 761-0392 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 |
 | STB18NM80 STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 |
 | STB18NM8 STMicroelectronics | MOSFET，N沟道，800V，17A，D2PAK 暂无PDF 查看详细 |
| STB18NM80 STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK 查看详细 |
| STB18NM80-BKN ST | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin (2+Tab) D2PAK T/R 暂无PDF 查看详细 |
| STB18NM80-BLK STMicroelectronics | 原厂原装货 暂无PDF 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 |
| STB18NM8 STMicroelectronics | MOSFET，N沟道，800V，17A，D2PAK 暂无PDF 查看详细 |
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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商： STMicroelectronics
描述： MOSFET，N沟道，800V，17A，D2PAK
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
| 典型关断延迟时间 | 96 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 18 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 70 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 2070 pF @ 50 V | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 10.4mm | |
| 封装类型 | TO-263 | |
| 尺寸 | 10.75 x 10.4 x 4.6mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大功率耗散 | 190 W | |
| 最大栅源电压 | ±30 V | |
| 最大漏源电压 | 800 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.295 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 17 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 长度 | 10.75mm | |
| 高度 | 4.6mm |