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制造商型号: STB11NM80T
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET,N沟道,800V,11A,D2PAK
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
典型关断延迟时间46 ns
典型接通延迟时间22 ns
典型栅极电荷@Vgs43.6 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds1360 pF V @ 25
安装类型表面贴装
宽度10.4mm
封装类型TO-263
尺寸10.75 x 10.4 x 4.6mm
引脚数目3
最低工作温度-65 °C
最大功率耗散150 W
最大栅源电压±30 V
最大漏源电压800 V
最大漏源电阻值0.4 Ω
最大连续漏极电流11 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
长度10.75mm
高度4.6mm
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