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SSM6N35FE(TE85L,F)|Toshiba
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制造商型号: SSM6N35FE(TE85L,F)
制造商: Toshiba
描述: MOSFET DUAL N-CH 20V .18A ES6
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产品信息
数据列表 SSM6N35FE
Mosfets Prod Guide
产品相片 SSM6K202FE
产品培训模块 Small Signal MOSFET
产品目录绘图 ES6 Top
ES6 Side
标准包装  4,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型2 个 N 沟道(双)
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)180mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)3 欧姆 @ 50mA,4V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)9.5pF @ 3V
功率 - 最大值150mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-563,SOT-666
供应商器件封装ES6(1.6x1.6)
产品目录页面1655 (CN2011-ZH PDF)
其它名称SSM6N35FE(TE85LF)TR
SSM6N35FETE85LF
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