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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： SSM6N17FU(TE85LF)
制造商： TOSHIBA
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 0.1A 50V SOT23
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： TOSHIBA
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 0.1A 50V SOT23
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET N沟道 0.1A 50V SOT23
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id 连续: 100mA
- 漏源电压, Vds: 50V
- 在电阻RDS（上）: 20ohm
- 电压 @ Rds测量: 4V
- 阈值电压, Vgs th 典型值: 1.5V
- 功耗, Pd: 200mW
- 封装类型: US6
- 针脚数: 6
- 封装/箱盒: SC70
- 模块配置: 双
- 漏极电流, Id 最大值: 100mA
- 漏源电压 Vds, N沟道: 50V
- 电压 Vgs @ Rds on 测量: 4V
- 电压, Vds 典型值: 50V
- 表面安装器件: SMD
- 连续漏极电流 Id, N沟道: 100mA
- 通态电阻 Rds(on), N沟道: 22ohm
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