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SSM6K211FE(TE85L,F|Toshiba
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制造商型号: SSM6K211FE(TE85L,F
制造商: Toshiba
描述: MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
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产品信息
数据列表 SSM6K211FE
Mosfets Prod Guide
产品相片 SSM6K202FE
产品培训模块 Small Signal MOSFET
产品目录绘图 ES6 Top
ES6 Side
标准包装  4,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平栅极,1.5V 驱动
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)3.2A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)47 毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)10.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)510pF @ 10V
功率 - 最大值500mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-563,SOT-666
供应商器件封装ES6(1.6x1.6)
产品目录页面1655 (CN2011-ZH PDF)
其它名称SSM6K211FE(TE85LFTR
SSM6K211FETE85LF
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