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SSM6J502NU,LF|Toshiba
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制造商型号: SSM6J502NU,LF
制造商: Toshiba
描述: MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
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产品信息
数据列表 SSM6J502NU
产品相片 6-uDFN-(2x2)
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平栅极,1.5V 驱动
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)6A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)23.1 毫欧 @ 4A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)24.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1800pF @ 10V
功率 - 最大值1W
安装类型表面贴装
封装/外壳6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装6-uDFN(2x2)
其它名称SSM6J502NULF
SSM6J502NULFTR
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