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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： SSM6J212FE(TE85L,F
制造商： Toshiba
描述： MOSFET P-CH 20V 4A ES6
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： Toshiba
描述： MOSFET P-CH 20V 4A ES6
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 数据列表 | SSM6J212FE Mosfets Prod Guide |
|---|---|
| 产品相片 | SSM6K202FE |
| 产品培训模块 | Small Signal MOSFET |
| 产品目录绘图 | ES6 Top ES6 Side |
| 标准包装 | 4,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平栅极，1.5V 驱动 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 4A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 40.7 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 14.1nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 970pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 500mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商器件封装 | ES6（1.6x1.6） |
| 其它名称 | SSM6J212FE(TE85LFTR SSM6J212FETE85LF |
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