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SPP35N10|Infineon Technologies
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制造商型号: SPP35N10
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB
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产品信息
数据列表 SPI,SPP35N10
产品相片 TO-220-3
产品变化通告 Product Discontinuation 22/Feb/2008
标准包装  500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列SIPMOS®
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)35A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)44 毫欧 @ 26.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 83µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)65nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1570pF @ 25V
功率 - 最大值150W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商器件封装PG-TO220-3
其它名称SP000013851
SPP35N10IN
SPP35N10X
SPP35N10XTIN
SPP35N10XTIN-ND
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