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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： SPP18P06P H
制造商： Infineon Technologies
描述： MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： Infineon Technologies
描述： MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 数据列表 | SPP18P06P G |
|---|---|
| 产品相片 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | SIPMOS® |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 18.7A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 130 毫欧 @ 13.2A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 28nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 860pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 81.1W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
| 其它名称 | SP000446906 SPP18P06P G SPP18P06P G-ND SPP18P06PH |
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