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SPP12N50C3|Infineon Technologies
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制造商型号: SPP12N50C3
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-220
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产品信息
数据列表 SP(P,I,A)12N50C3
产品相片 TO-220-3
产品培训模块 CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
标准包装  500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列CoolMOS™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)560V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)11.6A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)380 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3.9V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)49nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1200pF @ 25V
功率 - 最大值125W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商器件封装PG-TO220-3
其它名称SP000014459
SPP12N50C3IN
SPP12N50C3X
SPP12N50C3XK
SPP12N50C3XTIN
SPP12N50C3XTIN-ND
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