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SPP11N65C3XKSA1|Infineon Technologies
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制造商型号： SPP11N65C3XKSA1
制造商： Infineon Technologies
描述： MOSFET
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产品信息
制造商:Infineon
RoHS: 符合
汲极/源极击穿电压:650 V
闸/源击穿电压:20 V
漏极连续电流:11 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:380 mOhms
配置:Single
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220-3
封装:Tube
下降时间:5 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值） :8.3 S
栅极电荷 Qg:45 nC
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:125 W
上升时间:5 ns
商标名:CoolMOS
典型关闭延迟时间:44 ns
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