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SPP100N03S2-03 Infineon Technologies AG
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![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB 详细描述:通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1 型号:SPP100N03S2-03 仓库库存编号:SPP100N03S2-03IN-ND 别名:SPP100N03S2-03IN <br> | 含铅 |
![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB 详细描述:通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1 型号:SPP100N03S203 仓库库存编号:SPP100N03S203-ND 别名:SP000013463 <br>SPP100N03S203X <br>SPP100N03S203X-ND <br> | 无铅 |
产品相片 | TO-220-3 |
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产品变化通告 | Product Discontinuation 22/Feb/2008 |
标准包装 | 500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | OptiMOS™ |
包装 | 散装 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 100A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 3.3 毫欧 @ 80A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 150nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 7020pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 300W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | P-TO220AB |
其它名称 | SP000013463 SPP100N03S203X SPP100N03S203X-ND |