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SPP08P06P H|Infineon Technologies
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制造商型号: SPP08P06P H
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-220
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产品信息
数据列表 SPP08P06P G
产品相片 TO-220-3
标准包装  500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列SIPMOS®
包装  管件  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)8.8A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)300 毫欧 @ 6.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)420pF @ 25V
功率 - 最大值42W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商器件封装PG-TO220-3
其它名称SP000446908
SPP08P06P G
SPP08P06P G-ND
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