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SPI20N60C3|Infineon Technologies
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商型号: SPI20N60C3
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
数据列表 SP(P,I,A)20N60C3
产品相片 TO-262-3
产品培训模块 CoolMOS™ CP Switching Behavior
CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
标准包装  500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列CoolMOS™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)650V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)20.7A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)190 毫欧 @ 13.1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3.9V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)114nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2400pF @ 25V
功率 - 最大值208W
安装类型通孔
封装/外壳TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商器件封装PG-TO262-3
产品目录页面1616 (CN2011-ZH PDF)
其它名称SP000014453
SPI20N60C3-ND
SPI20N60C3IN
SPI20N60C3X
SPI20N60C3XK
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