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SPI11N60S5|Infineon Technologies
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制造商型号: SPI11N60S5
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 600V 11A TO-262
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产品信息
数据列表 SPP,SPI11N60S5
产品相片 TO-262-3
产品变化通告 Product Discontinuation 18/Nov/2011
标准包装  50
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列CoolMOS™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)11A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)380 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5.5V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)54nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1460pF @ 25V
功率 - 最大值125W
安装类型通孔
封装/外壳TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商器件封装PG-TO262-3
其它名称SP000013033
SPI11N60S5-ND
SPI11N60S5IN
SPI11N60S5X
SPI11N60S5XK
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