![SPD07N60S5|INFINEON](//upload.szcwdz.com/kucunpic/9/94299.jpg)
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产品信息
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场效应管 MOSFET N D-PAK
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晶体管极性:
N沟道
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电流, Id 连续:
7.3A
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漏源电压, Vds:
600V
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在电阻RDS(上):
600mohm
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电压 @ Rds测量:
10V
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阈值电压, Vgs th 典型值:
4.5V
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功耗, Pd:
83W
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封装类型:
TO-252
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针脚数:
3
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SMD标号:
07N60S5
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封装/箱盒:
DPAK
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封装类型, 其它:
TO-252
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总功率, Ptot:
83W
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晶体管数:
1
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温度 @ 电流测量:
25°C
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满功率温度:
25°C
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漏极电流, Id ??大值:
7.3A
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电压 Vgs @ Rds on 测量:
10V
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电压, Vds:
600V
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电压, Vds 典型值:
600V
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电压, Vgs 最高:
4.5V
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电流, Idm 脉冲:
14.6A
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表面安装器件:
SMD
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通态电阻最大值:
600mohm
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阈值电压, Vgs th 最低:
3.5V
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阈值电压, Vgs th 最高:
5.5V
产地:
MY
Malaysia
询价