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SPD04N50C3T|Infineon Technologies
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制造商型号: SPD04N50C3T
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK
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产品信息
数据列表 SPD04N50C3
产品相片 TO-252-3
标准包装  1
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列CoolMOS™
包装  剪切带 (CT)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)560V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)4.5A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)950 毫欧 @ 2.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3.9V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)22nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)470pF @ 25V
功率 - 最大值50W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装PG-TO252-3
其它名称SPD04N50C3XTINCT
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