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制造商型号: SPB11N60C
制造商: Infineon
描述: MOSFET,N沟道,600V,11A,CoolMOS,TO263
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产品信息
典型关断延迟时间44 ns
典型接通延迟时间10 ns
典型栅极电荷@Vgs45 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds1200 pF V @ 25
安装类型表面贴装
宽度9.45mm
封装类型PG-TO-263
尺寸10.31 x 9.45 x 4.57mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散125 W
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压650 V
最大漏源电阻值0.38 Ω
最大连续漏极电流11 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
长度10.31mm
高度4.57mm
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