声明:图片仅供参考,请以实物为准!
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场效应管 MOSFET N 600V D2-PAK
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晶体管极性:
N沟道
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电流, Id 连续:
3.2A
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漏源电压, Vds:
600V
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在电阻RDS(上):
1.4ohm
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电压 @ Rds测量:
10V
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阈值电压, Vgs th 典型值:
3V
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功耗, Pd:
38W
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工作温度最小值:
-55°C
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工作温度最高值:
150°C
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封装类型:
TO-263
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针脚数:
3
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功耗, Pd:
38W
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功耗, Pd:
38W
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封装/箱盒:
D2-PAK
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工作温度范围:
-55°C 至 +150°C
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漏极电流, Id 最大值:
3.2A
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电压 Vgs @ Rds on 测量:
10V
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电压, Vds:
600V
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电压, Vds 典型值:
650V
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电压, Vgs 最高:
20V
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电流, Idm 脉冲:
9.6A
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表面安装器件:
SMD
产地:
KR
Korea (Republic of)